검색어 : 통합검색[조현춘]
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- 한국판 분노행동척도의 타당화 연구
- 조현춘; 이근배; ; (韓國心理學會誌 : The Korean journal of biological and psychological psychology/ 相談및 心理治療, v.19, 2007, pp.489-503)
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- 금속박막의 물리적 성질 ( 1 ) - 증착속도에 따르는 구조변화 - ( Physical Properties of Metal Thin Film ( 1 ) - Changes of Structure with Evaporation Rates - )
- 백수현; 조현춘; ; (전자공학회논문지 = Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics, v.24, 1987, pp.980-985)
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- 3.5Ni-Cr-Mo-V 강의 크리프 수명예측에 재질열화 및 오스테나이트 결정립 조대화가 미치는 영향
- 홍성호; 조현춘; ; (大韓機械學會論文集, v.18, 1994, pp.2837-2845)
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- 개별기술의 정량적 가치추정 모델개발;연구개발투자의 성과측정 및 기술거래시 활용을 중심으로
- 조현춘; 한국전력공사 전력연구원; (기술혁신학회지 = Journal of Korea technology innovation society, v.3, 2000, pp.139-153)
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- 상담자의 출신지역 및 온정적 태도와 내담자의 호감도
- 조현춘; ; (社會科學 : 慶北大學校 社會科學大學, v.1, 1982, pp.217-235)
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- 형광등 점등방식의 기술적 비교검토
- 조현춘; 손종구; 산업기술정보원(KINITI) 책임연구원, 석학박사; 산업기술정보원(KINITI) 책임연구원 경영학박사; (照明·電氣設備學會誌 = Journal of the Korean institute of illuminating and electrical installation engineers, v.11, 1997, pp.56-62)
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- 공정조건이 Ag-Cu-Ti/Al₂O₃ 접합체의 파괴인성에 미치는 영향
- 조현춘; 유진; ; (요업재료의 과학과 기술, v.6, 1991, pp.190-196)
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- 불순물을 이온주입시킨 실리콘 기판위에 형성된 TaSi2의 특성 ( Characteristics of TaSi2 Formed on the Si Wafer Implanted Dopant Ions )
- 조현춘; 최진석; 김동원; 백수현; ; (電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telematics and electronics. A. A, v.28, 1991, pp.333-338)
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- 고주파용 유전체 재료의 응용 및 전망
- 조현춘; 전력연구원 기술정책실 정책개발부; (전기전자재료 = Bulletin of the Korean institute of electrical and electronic material engineers, v.11, 1998, pp.407-411)
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10
- 이동통신용 고주파 부품의 기술개발동향 및 추세
- 조현춘; 산업기술정보원; (전자진흥= Journal of Korean electronics, v.17, 1997, pp.47-51)
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