검색어 : 통합검색[정석민]
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- 게터조합펌프의 배기속도 측정
- 김용덕; 박석준; 조정; 양소희; 박종도; 하태균; 정석민; 한동글로벌학교; 한동글로벌학교; 한동글로벌학교; 한동글로벌학교; 포항가속기연구소; 포항가속기연구소; 포스텍물리학과; (한국진공학회 2012년도 제43회 하계 정기 학술대회 초록집, v.2012, 2012, pp.206-206)
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- Dissociation of NO on Si(001) and Incorporation of N into the Subsurface
- 정석민; Chonbuk Nat'l Univ.; (Journal of the Korean Physical Society, v.51, 2007, pp.1962-1967)
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- Si(001)에 흡착되는 NO에 대한 제일원리 분자동역학 연구
- 정석민; 전북대학교; (Applied Science and Convergence Technology, v.14, 2005, pp.97-102)
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- ‘경제’ 교육과정의 ‘내용 체계’ 타당성 분석 ― 7차 교육과정과 2007년 개정 교육과정을 중심으로 ―
- 정석민; 혜화여자고등학교; (경제교육연구, v.14, 2007, pp.27-55)
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- 행동기반 제어방식을 위한 득점과 학습을 통한 행동선택기법
- 정석민; 오상록; 윤도영; 유범재; 정정주; 한국과학기술연구원 지능제어센터; 한국과학기술연구원 지능제어센터; 한국과학기술연구원 지능제어센터; 한국과학기술연구원 지능제어센터; 한양대학교 공과대학 전자전기컴퓨터 공학부; (대한전기학회 2002년도 합동 추계학술대회 논문집 정보 및 제어부문, v.2002, 2002, pp.163-168)
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- Molecular dynamics study on NO adsorption on Si(001)
- 정석민; ; (한국진공학회 2005년도 제28회 학술발표회 초록집, v.2005, 2005, pp.62-62)
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- Honeycomb-Chain Reconstruction of the High-Index Si (5 5 12) Surface: A First-Principles Study
- 정석민; ; (한국진공학회 2004년도 제27회 학술발표회 초록집, v.2004, 2004, pp.53-53)
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- Variation of the Si-induced Gap State by the N defect at the Si/SiO<sub>2</sub> Interface
- 김규형; 정석민; ; (한국진공학회 2016년도 제50회 동계 정기학술대회 초록집, v.2016, 2016, pp.128.1-128.1)
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- 흡착원자의 덮임율에 따른 Ag/Si(111) √3 X √3 의 구조 변화
- 정호진; 정석민; 연세대학교 물리학과; 전북대학교; (Applied Science and Convergence Technology, v.17, 2008, pp.387-393)
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- In-Induced Variation in the Electronic Structure of In/Si(001)4 X 3 Nanoclusters
- 정호진; 정석민; Chonbuk Nat'l Univ.; Chonbuk Nat'l Univ.; (Journal of the Korean Physical Society, v.48, 2006, pp.98-102)
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