검색어 : 통합검색[조경아]
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- ZnO 나노선 트랜지스터를 기반으로 하는 Al 나노입자플로팅 게이트 메모리 소자의 특성
- 김성수; 조경아; 김상식; 고려대학교 전기전자전파공학부; 고려대학교 전기전자전파공학부; 고려대학교 전기전자전파공학부; (전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.24, 2011, pp.325-327)
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- 유치원 교실에서 공기 중 박테리아와 곰팡이 발생에 영향을 미치는 요인
- 박동욱; 조경아; 윤충식; 한인영; 박두용; 한국방송통신대학교; 한국방송통신대학교; 대구가톨릭대학교; 한성대학교; 한성대학교; (韓國環境保健學會誌 = Journal of environmental health sciences, v.30, 2004, pp.440-448)
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- 밴더블 a-Si:H 박막트랜지스터의 전기적 특성에 미치는 채널 길이의 영향
- 오현곤; 조경아; 김상식; 고려대학교; 고려대학교; 고려대학교; (전기전자학회논문지, v.20, 2016, pp.330-332)
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- 쿨링패치 부착에 따른 태양광-열전 융합소자의 성능 연구
- 이재환; 조경아; 박윤범; 김상식; Dept. of Electrical Engineering, Korea University; Dept. of Electrical Engineering, Korea University; Dept. of Electrical Engineering, Korea University; Dept. of Electrical Engineering, Korea University; (전기전자학회논문지 = Journal of IKEEE, v.25, 2021, pp.716-720)
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- A형 간염의 자연항체와 예방접종을 통한 항체 생성률의 역가 비교분석
- 권원현; 김경화; 조경아; 문기춘; 김정인; 이인원; 분당서울대학교병원 핵의학과; 분당서울대학교병원 핵의학과; 분당서울대학교병원 핵의학과; 분당서울대학교병원 핵의학과; 분당서울대학교병원 핵의학과; 분당서울대학교병원 핵의학과; (핵의학기술 = The Korean journal of nuclear medicine technology, v.17, 2013, pp.95-100)
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- Ge 나노입자가 형성된 MOS 캐패시터의 캐패시턴스와 전압 특성
- 박병준; 최삼종; 조경아; 김상식; 고려대학교 전기공학부; 고려대학교 전기공학부; 고려대학교 전기공학부; 고려대학교 전기공학부; (전기전자학회논문지 = Journal of IKEEE, v.10, 2006, pp.156-160)
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- 상온에서 RF 스퍼터링 방법으로 증착한 Hafnium Oxide 박막의 저항 변화 특성
- 한용; 조경아; 윤정권; 김상식; 고려대학교 나노반도체공학과; 고려대학교 전기전자전파공학과; 고려대학교 전기전자전파공학과; 고려대학교 나노반도체공학과; (전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.24, 2011, pp.710-712)
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- 나노입자를 이용한 의학진단
- 조경아; 김진형; 박병준; 이준우; 김현석; 김상식; 고려대 전기공학과; 고려대 전기공학과; 고려대 전기공학과; 고려대 전기공학과; 고려대 전기공학과; 고려대 전기공학과; (전기전자재료 = Bulletin of the Korean institute of electrical and electronic material engineers, v.17, 2004, pp.32-39)
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- 더블게이트 실리콘 나노시트 피드백 전계효과 트랜지스터의 전기적 특성에 미치는 열처리 효과
- 허효주; 신연우; 손재민; 류승호; 조경아; 김상식; Dept. of Electrical Engineering, Korea University; Dept. of Electrical Engineering, Korea University; Dept. of Electrical Engineering, Korea University; Dept. of Semiconductor System Engineering, Korea University; Dept. of Electrical Engineering, Korea University; Dept. of Electrical Engineering, Korea University; (전기전자학회논문지 = Journal of IKEEE, v.27, 2023, pp.418-424)
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- Channel과 gate 구조에 따른 산화물 박막트랜지스터의 전기적 특성 연구
- 공희성; 조경아; 김재범; 임준형; 김상식; Dept. of Electrical Engineering, Korea University; Dept. of Electrical Engineering, Korea University; Display Research Center, Samsung Display; Display Research Center, Samsung Display; Display Research Center, Samsung Display; (전기전자학회논문지 = Journal of IKEEE, v.26, 2022, pp.500-505)
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