검색어 : 통합검색[조현춘]
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- 이동통신용 고주파 부품의 기술개발동향 및 추세
- 조현춘; 산업기술정보원; (전자진흥= Journal of Korean electronics, v.17, 1997, pp.47-51)
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- 증착 입사각에 따른 금속박막의 물성 변화
- 진희창; 조현춘; 백수현; 한양대학교 공과대학 재료공학과; 한양대학교 공과대학 재료공학과; 한양대학교 공과대학 재료공학과; (금속표면처리 = Journal of the metal finishing society of Korea, v.20, 1987, pp.43-48)
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- 초고집적 회로용 PZT박막의 형성조건 - 스퍼터링법으로 Si , TiN/Ti/Si 기판위에 증착된 PZT 박막의 급속 열처리에 의한 결정화 및 특성 - ( Formation Conditions of PZT Thin Films for ULSI - A Study on the formation and characteristics of PZT thin films by rapid thermal annealing - )
- 마재평; 박치선; 백수현; 황유상; 백상훈; 최진석; 조현춘; ; (電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telematics and electronics. A. A, v.a30, 1993, pp.815-822)
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- PZT박막 Capacitor에 관한 기초연구(I)
- 황유상; 백수현; 하용해; 최진석; 조현춘; 마재평; 한양대학교 재료공학과; 한양대학교 재료공학과; 한양대학교 재료공학; 산업반도체; 산엽기술정보원; 호남대학 전자공학과; (한국재료학회지 = Korean journal of materials research, v.3, 1993, pp.19-27)
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- 단결정 실리콘 기판에 이온주입된 불순물이 <TEX>$TaSi_2$</TEX>형성에 미치는 영향
- 조현춘; 최진석; 고철기; 백수현; 한양대학교 재료공학과; 한양대학교 재료공학과; 현대전자 반도체 연구소; 한양대학교 재료공학과; (한국재료학회지 = Korean journal of materials research, v.1, 1991, pp.17-22)
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- Ti-silicide 박막 형성시 규소 기판에 이온 주입된 붕소 거동에 대한 SIMS 분석
- 황유상; 백수현; 조현춘; 마재평; 최진석; 강성건; 한양대학교 재료공학과; 한양대학교 재료공학과; 산업기술정보원 전자전기실; 호남대학교 전자공학과; 한양대학교 재료공학과; 한양대학교 재료공학과; (분석과학 = Analytical science & technology, v.5, 1992, pp.199-202)
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- 연구방법론 고찰(1)
- 조현춘; ; (정서·행동장애연구, v.20, 2004, pp.49-68)
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- Dopant가 주입된 poly-Si 기판에서 Ta-silicides의 형성 및 dopant 의 거동에 관한 연구
- 최진석; 조현춘; 황유상; 고철기; 백수현; 한양대학교 재료공학과; 한양대학교 재료공학과; 한양대학교 재료공학과; 현대전자 연구소; 한양대학교 재료공학과; (한국재료학회지 = Korean journal of materials research, v.1, 1991, pp.99-104)
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- TaSi2 형성시 단결정 실리콘 기판에 이온주입된BF2의 거동 ( The Behavior of BF2 Implanted Single Crystalline Si Substrates During the Formation of TaSi2 )
- 조현춘; 양희준; 최진석; 백수현; ; (電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telematics and electronics. A. A, v.28, 1991, pp.814-820)
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- Si 기판 위에 Mo-Silicides의 형성과 그 특성에 관한 연구 ( A Study on the Properties and Formation of Mo-Silicides on Si-Substrate )
- 조한수; 조현춘; 최진석; 백수현; ; (電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telematics and electronics. A. A, v.28, 1991, pp.85-90)
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